近日，日本功率半導體制造商ROHM公司宣布開發(fā)出額定功率為1700V / 250A的SiC功率模塊，該功率模塊可提供業(yè)界最高水平的可靠性，針對室外發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)高功率電源等領域應用的逆變器和轉(zhuǎn)換器應用了進行優(yōu)化。

  產(chǎn)品意義

  近年來，由于其節(jié)能優(yōu)勢，SiC在電動汽車(EV)和工業(yè)設備等1200V應用中得到了越來越多的應用。功率密度更高的趨勢導致更高的系統(tǒng)電壓，增加了對1700V產(chǎn)品的需求。然而，當前的器件難以實現(xiàn)所需的可靠性，因此硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常優(yōu)選用于1700V應用。

  為此，ROHM能夠在1700V時實現(xiàn)高可靠性，同時保持其1200V SiC產(chǎn)品的節(jié)能性能，實現(xiàn)了所謂的1700V級SiC功率模塊的首次商業(yè)化。

  產(chǎn)品性能

  新型BSM250D17P2E004產(chǎn)品引入了一種新的封裝方法和涂層材料，以保護芯片免受介電擊穿，并抑制漏電流的增加，使模塊能夠通過HV-H3TRB可靠性測試。例如，在這種高壓、高溫、高濕度反向偏壓測試期間，當在85°C和85%濕度下施加1360V超過1000小時時，器件沒有出現(xiàn)故障，不同于傳統(tǒng)IGBT模塊，通常在1000小時以內(nèi)因電介質(zhì)擊穿而導致失效。為確保最高水平的可靠性，ROHM以不同的間隔測試了模塊的漏電流，最高阻斷電壓為1700V。 

  將ROHM經(jīng)過驗證的SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosFET)和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)整合到同一模塊中并優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可使其導通電阻比其他同等級SiC產(chǎn)品低10%。ROHM表示，這可以在任何應用中實現(xiàn)更好的節(jié)能和減少散熱。

  未來工作

  展望未來，ROHM的目標是繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容，同時提供評估板，以便輕松測試和驗證其SiC模塊。